鐵氧體磁珠是一種鐵氧體磁珠，鉛穿過它鉛型鐵氧體磁珠電感器的形狀示例如圖1所示。該結構是簡單的結構，并且具有這種形狀，引線已經穿過由鐵氧體形成的珠子。這個電感器沒有像常規線圈那樣纏繞在它周圍的引線，但是當電流流到其引線時，在鐵氧體磁珠內部產生磁通量。結果，鐵氧體磁珠用作電感器。順便提及，這里使用的鐵氧體是由在高頻下具有高損耗的材料制成的，因此在高頻范圍內，電流的能量作為鐵氧體的損耗而損失，使得噪聲能夠被有效地吸收。

一、片狀鐵氧體磁珠由分層電感器結構組成

片狀鐵氧體磁珠是通過將這些鐵氧體磁珠電感器制成芯片而制成的，圖2顯示了它們的典型結構。在原始鐵氧體片層之間形成線圈圖案，并且通過集成和燒制的過程，產生三維線圈結構。

      通過將鐵氧體磁珠電感器制成芯片并在其內部采用線圈結構，可以實現比僅具有引線穿過它的引線型鐵氧體磁珠電感器更高的阻抗。（實際上，一些片狀鐵氧體磁珠只有一條引線穿過磁珠。）這種結構基本上與多層片式電感器相同，但與電感器的不同之處在于所用的鐵氧體材料是更適合抑制噪音。

      圖3示出了片狀鐵氧體磁珠的阻抗頻率特性的示例。所涉及的基本原理如下：隨著頻率上升，阻抗隨著電感器的增加而成比例增加，因此通過在電路中串聯連接這些磁珠，它們起到低通濾波器的作用。對于常規電感器，阻抗（Z）值中的主要特征是電抗分量（X）。另一方面，由于片狀鐵氧體磁珠使用在高頻下具有高損耗的鐵氧體材料，因此高頻范圍內的主要特性是電阻分量（R）。電(dian)抗成分(fen)不伴(ban)有(you)損耗，但電(dian)阻成分(fen)是。這意味著，與常(chang)規(gui)電(dian)感相比，片狀鐵氧體磁(ci)珠具有(you)更(geng)好的吸收噪聲能量的特(te)性。

二、可以選擇阻抗曲線以適應預期的應用

芯片鐵氧體磁珠通常通過100MHz頻率的阻抗值標準化。但是，可以使用具有相同阻抗值的多種產品。這是為了能夠選擇阻抗曲線的銳度。

圖4顯示了曲線變化的示例。BLM18AG601SN1和BLM18BD601SN1都是芯片鐵氧體磁珠，在100 MHz時阻抗值為600Ω，但圖4顯示BLM18BD601SN1具有更尖銳的阻抗曲線，而BLM18AG601SN1具有更緩和上升的曲線。

對于阻抗曲線平緩上升的類型，阻抗在較低頻率水平開始增加，因此可以在從極低頻率到高頻率的寬頻帶上抑制噪聲。但是，如果信號頻率相對較高，則該頻率也可能衰減。相反，對于阻抗曲線急劇上升的類型，阻抗僅在高頻范圍內增加，因此即使使用具有相對高頻率的信號，也可以在不影響信號的情況下抑制噪聲。因此，在選擇片狀鐵氧體磁珠時，要考慮抑制噪聲的信號頻率和頻率是很重要的。

三、通過改變內部結構來改善高頻阻抗

圖3顯示了片狀鐵氧體磁珠的阻抗頻率特性，該圖顯示400-500 MHz頻率區域形成阻抗值開始下降的邊界。這是由于芯片鐵氧體磁珠結構的影響。作為基本規則，隨著頻率上升，電感器的阻抗繼續增加。然而，常規的片狀鐵氧體磁珠在其內部具有卷繞開始（入口）靠近繞組端（出口）的區域，如圖5所示。在這樣的區域中，靜電耦合（極小電容器出現的狀態）因為高頻電流通過它而發生，并且電感器的阻抗影響較小。在靜電耦合區域，隨著頻率的增加，電流趨于更容易通過，因此頻率越高。

為了解決這個問題，必須改變繞組開始和繞組端部靠近在一起的結構。圖6示出了芯片鐵氧體磁珠的一個例子，其內部結構已經改變以改善高頻特性。然而，在常規的片狀鐵氧體磁珠中，線圈圖案的軸線垂直延伸（所謂的“垂直繞組”），具有改善的高頻特性的片狀鐵氧體磁珠的線圈圖案的軸線水平延伸。結果，通過在線圈繞組開始和繞組端之間放置一些距離，阻抗開始下降的頻率顯著增加。

芯片鐵氧體磁珠有許多其他變體 - 例如，一些支持高電流，而另一些則具有緊湊的尺寸 - 這種多樣性使用戶能夠選擇最適合手頭應用的那些。